Samsung UFS für 500-Gigabyte-Smartphones

Samsung UFS für 500-Gigabyte-Smartphones

Samsung verdoppelt die Kapazität seines UFS-Speichers. Das Unternehmen produziert den auf dem UFS-2.1-Standard basierenden Speichermodul unter Verwendung seiner kürzlich eingeführten V-NAND-Chips mit 64 Lagen à 512 Gigabit, man stapelt also wie üblich reichlich NAND-Speicher dreidimensional übereinander und steigert so die Kapazität deutlich. Hierbei handelt es sich um Embedded Universal Flash Storage (eUFS). Im Vergleich zu den bisherigen eUFS mit 256 Gigabyte Kapazität, sollen die neuen Chips nicht nur doppelt so viel Speicherplatz zur Verfügung stellen, sondern auch mit höheren Schreib- und Leseraten aufwarten können. Damit gibt es ein neues Lebenszeichen für die größere Variante der neuen 3D-NAND-Generation V-NAND V4, bei der Samsung zuletzt nur von 256-Gigabit-Dies gesprochen hatte. Hiermit könnte man natürlich all jene für sich gewinnen, die beispielsweise Videos in 4K aufnehmen - das braucht ja bekanntlich ordentlich Speicher.

Wann die ersten Geräte mit den neuen 512-GB-Chips auf den Markt kommen sollen, ließ Samsung zunächst offen, es dürfte jedoch höchstens bis zur Einführung der Galaxy S9-Serie dauern, bis es soweit ist.

Mit maximal 860 MB/s beim sequentiellen Lesen und bis zu 255 MB/s beim sequentiellen Schreiben sowie 42.000 IOPS beim Lesen und 40.000 IOPS beim Schreiben erinnert der 512 GB große Speicher auch bei den Leistungsdaten an eUFS mit 128 GB für den Bereich Automotive.

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